Нова флаш памет се нуждае от 100х по-малко енергия, без да жертва скоростта

Учени от Ланкастърския университет се похвалиха с нова флаш памет, наречена UK III-V Memory. Най-същественото при нея е, че поддържа високите скорости на познатите DRAM модули, но изисква 100 пъти по-малко енергия при запис на информация. След този пробив в съотношението между енергийния баланс и производителността ще последват още фази на разработката и допълнителни усъвършенствания.

По данни на TomsHardware, UK III-V Memory ще поддържа функцията за съхранение на информацията в оперативната памет дори при изключен компютър. При стартиране на машината ще можете да продължите работата си от мястото, където сте я прекъснали. За целта няма да са необходими специални режими на „хибернация“ или „заспиване“, осигурявани от операционната система.

Рано е да отваряме шампанското,

предупреждават разработчиците на UK III-V Memory, които са убедени, че ще минат години, преди продуктът им да намери комерсиално приложение. Недостатък на флаш паметите е, че имат ограничен брой „цикли“ на запис и презапис. При продължителна употреба дават дефекти или изобщо престават да работят.

По думите на учените от Ланкастърския университет се подразбира, че в началния си етап от разработката тяхната памет отстъпва на сегашните DRAM и дефектира по-бързо от тях. Този проблем ще трябва да бъде решен. Не е ясно и дали при евентуално серийно производство ще бъдат конкурентни като цена на вече съществуващите RAM модули.

Ardes.bg предлага най-добрата оперативна памет, предназначена за компютърни конфигурации или съчетана с друг хардуер във високопроизводителни десктопи и лаптопи.

Loading Facebook Comments ...